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메모리 분류 RAM(Random Access Memory)는 주기억 장치에서 사용되며 자료 저장 방식, 형태별, 사용처에 따라서 메모리를 분류할 수 있다.

자료 저장 방식에 따른 분류 자료 저장 방식에 따른 분류로 정적인 방식과 동적인 방식으로 나눌 수 있다. 이는 SRAM(Static RAM)과 DRAM(Dynamic RAM)으로 나뉘는데, DRAM은 캐패시터에 전하를 충전하는 방식으로 데이터를 저장하는 기억 소자들로 이루어진 것이고 저장 내용을 기억하기 위해서는 주기적인 재충전이 필요한 방식이다. 정적인 방식은 플리플롭을 이용한 방식으로 고정된 값을 기억하는 방식으로 재충전이 필요하지 않은 방식이다.

2) 형태에 따른 분류 램 모듈의 형태상에 따라서 램의 소켓과 접촉하는 면의 핀 수에 따라서 30핀, 72핀, 168핀, 184핀으로 나뉜다. 그리고 내부적인 선이나 형태에 따라서 구분이 된다.

분류 DIP 메모리를 소켓에 하나씩 설치하는 방식으로 예전의 286용 메인보드에 이전에 주로 사용하던 방식 SIMM (Single In line Memory Module) PCB양면의 접점이 같은 신호선을 사용한다는 의미로써 8~16 비트 데이터 대역폭을 가지며 주로 286~486 에서 30 핀, 72 핀으로 사용하던 방식 DIMM(Dual In line Memory Module) PCB 양면의 접점이 다른 신호선을 사용한다는 의미인데, 이것은 양면의 SIMM이라고 볼 수 있으며 양면 램이라고 한다. 64 비트 데이터 대역폭을 가지며 데이터 버스 조절과 부분적인 비트 에러를 체크하는 패리티 포함하면 72비트이다. 64 비트의 데이터 버스를 지원 데스크탑과 서버 시스템에서 채택하고 양면의 SIMM 으로 메모리 모듈의 밀도를 증가시킨 것이다. 노트북에는 SO(Small-Out line) DIMM(144핀)사용하고 현재는 168핀 DIMM이 현재 가장 보편적으로 많이 쓰이고 있는 램의 형태이다. RIMM(Rambus In line Memory Module) Rambus DRAM을 모듈화한 제품으로 DIMM보다 고속이며 앞으로 많이 사용될 제품이다. 시스템을 종료시키지 않고도 RAM을 교체할 수 있는 특징을 가지고 있다.

3) 사용처에 따른 분류 ROM BIOS(Programmable ROM) 70년 후반에 Texas Instrument에서 개발되었으며 단 한번만 기록할수 있는 ROM이다 EPROM(Erasable Programmable ROM) 기록한 자료를 수정할 수 있는 ROM으로 자외선을 사용한다.

EEPROM(Electrical Erasable Programmable ROM) 전기 신호를 사용하여 자료를 기록하고 수정할 수 있는 ROM이다. Flash Memory EEPROM을 변형한 것으로 전원 공급이 없어도 기록된 내용을 보존하는 ROM의 특성과 기록된 내용을 자유롭게 수정할 수 있는 RAM의 특성을 가지고 있다. EEPROM보다는 속도가 느리고, PC카드(PCMCIA)로서 하드디스크 대용으로 사용되기도 하기도 한다. SSD(Solid State Disk)개념의 하드 디스크로써의 형태의 제품화가 되고 있다. FPM(Fast Page Mode) DRAM 페이지(16KB)단위로 데이터를 입출력하며 작동주기는 3사이클, 486이전의 CPU에서 30핀 SIMM, 72핀 SIMM 형태로 메인보드에 설치되었다. EDO(Exchange Data Output) DRAM 기본구조는 FPM DRAM과 비슷하며 작동주기는 2사이클, 효율적으로 대처할 수 있는 CPU의 최고 클럭 속도는 66MHz정도이며 보통 72핀 SIMM 형태이다. BEDO(Burst Extended Data Output) DRAM 매 클럭 사이클마다 RAM 메모리 주소에서 프로세서로 정보를 전달하는 특별한 형태의 EDO RAM, 데이터를 큰 덩어리 형태로 전달하고 이것을 잘게 나누어 연속적으로 폭발하듯이 처리하는 기술이다.

DRAM의 종류 1) 동기식 DRAM (Synchronous DRAM) 가장 널리 사용되고 있는 DRAM의 형태는 동기식 DRAM(Synchronous DRAM)이다. 전통적인 DRAM과는 달리 외부 클록 신호와 동기화 되어 대기 상태 없이 프로세스/기억장치 버스의 전속력으로 실행되고 있는 프로세서와 데이터를 교환한다. 전통적인 DRAM의 경우 프로세서는 주소와 제어 신호를 기억장치로 보내어서 읽히거나 쓰여질 데이터를 가르킨다. 엑세스 시간만큼 지연된 후 DRAM은 데이터를 쓰거나 읽는다. 하지만 동기식 엑세스는 시스템 클록의 제어 하에 데이터를 받고 내보내게 된다.

2) Rambus DRAM 인텔이 펜티엄과 이타늄 프로세서를 위해 채택하였다. RDRAM은 비동기식 블록 지향 프로토콜(asynchronous block-oriented protocol)을 이용하여 주소와 제어 정보를 전달한다. 기존에 사용되었던 RAS, CAS, R/W 신호에 의해서 제어되지 않고, 고속 버스(high-speed bus)를 통하여 기억장치 요구를 받는다. 이를 통해서 기존 DRAM보다 상대적으로 향상된 속도가 된다. 3) 인텔의 터보 메모리 최근에 노트북에서 많이 되입되는 터보메모리라는 이름으로 인텔에서 메모리를 만들었다. 랜덤 액세스 성능이 하드 디스크보다 우수한 NAND 플래쉬 메모리를 별도의 캐쉬 영역으로 할당하여, 데스크탑과 비교해 느린 속도인 노트북 하드 디스크의 퍼포먼스를 향상 시키고, 노트북의 사용 환경에 맞는 서비스를 제공하기 위한 목적으로 개발됐다. 윈도우 비스타의 핵심 기능인 Ready Boost와 Ready Drive와 연동되는 것으로 그 이하 OS에서는 사용할 수 없다. 향후 SSD같은 형태의 디스크로의 도입과 더불어서 중간단계에서의 메모리 형태로 전환을 통해서 메모리를 통한 전체 시스템 성능을 높여가고 있다.

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